





Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
8 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
CajaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SGRAM - GDDR5
-Tensión de alimentación:1,3 V ~ 1,545 V
Frecuencia de reloj:1,5 GHz
Organización de la memoria:256M por 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo














