Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4,5 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Kit de Circuitos Integrados
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Doble Puerto, Sincrónico
-Tensión de alimentación:3,15 V ~ 3,45 V
Frecuencia de reloj:200 megahercios
Organización de la memoria:256 mil x 18
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
