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Componentes Electrónicos de Circuito del Canal del Fabricante HCT802TXV 6-SMD, Transistores Sin Plomo

Sin reseñas
EUR2482
100-3,099 unidades
EUR1241
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

HCT802TXV

Marca

Original

Descripción

MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A 6SMD

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

6-SMD, sin plomo

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
HCT802TXV
Marca
Original
Descripción
MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A 6SMD
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
6-SMD, sin plomo
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
500mW
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
90V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
2A, 1.1A
Rds (Max) @ Id Vgs
5 ohmios a 1 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
70pF @ 25V
Configuración
N and P-Channel
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
A granel
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
Canal N y Canal P

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
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