Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
576 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado Chip
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:DRAM
-Tensión de alimentación:1,28 V ~ 1,42 V
Frecuencia de reloj:1,066 GHz
Organización de la memoria:32M x 18
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
