Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
256 Mbit (FLASH), 256 Mbit (DDR DRAM)Tamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos IC
Tipo de memoria:No Volátil, Volátil
La tecnología:FLASH, memoria RAM
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:108 megahercios
Organización de la memoria:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
