Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
128 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado Chip
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:memoria SDRAM
-Tensión de alimentación:3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj:143 megahercios
Organización de la memoria:4M por 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
