Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
8 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes y Piezas Electrónicas
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:MRAM (RAM magnetoresistiva)
-Tensión de alimentación:1,65 V ~ 2 V
Frecuencia de reloj:133 megahercios
Organización de la memoria:1M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples
