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KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED
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Módulo de Memoria de Canal de 28 DIP del Fabricante DS1230Y-85+ Comprar Componentes Electrónicos en Línea

Sin reseñas
EUR1586
1-3,000 unidades
EUR793
≥3,001 unidades
Código de fecha de fabricación

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

DS1230Y-85+

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tamaño de la memoria

256Kbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
DS1230Y-85+
Tipo de montaje
Orificio pasante
Tamaño de la memoria
256Kbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Tipo de embajaje
Tubo
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 70°C (TA)
PAQUETE/cubierta
Módulo DIP de 28 pines (0.600", 15.24mm)
Serie
-
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
NVSRAM (SRAM no volátil)
-Tensión de alimentación
4.5V ~ 5.5V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
32K x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
85ns
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
NVSRAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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