Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1 kilobitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
A granelTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos IC
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Asíncrono
-Tensión de alimentación:4,94 V ~ 5,46 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:256 por 4
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:7 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
