Módulo de Memoria de Canal de Fabricante 32 DIP DS1250AB-70+ Componente Electrónico
Módulo de Memoria de Canal de Fabricante 32 DIP DS1250AB-70+ Componente ElectrónicoSin reseñas
Atributos
NVSRAM (SRAM no volátil)La tecnología
No volátilTipo de memoria
512 mil x 8Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
4 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Tubo
Aplicación:Memoria
Características:Circuito Integrado Chip
-Tensión de alimentación:4,75 V ~ 5,25 V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:70 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
NVSRAM (SRAM no volátil)
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
512 mil x 8
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
4 megabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Tubo
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado Chip
-Tensión de alimentación
4,75 V ~ 5,25 V
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
70 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
Devolución fácil
1 - 3,000 unidades
EUR 6014
>= 3,001 unidades
EUR 3008
Variantes
ElegirEspecificación
DS1250AB 70+
Envío
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