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Componentes de circuito electrónico del fabricante Channel Memory 8 WDFN Exposed Pad GD25B512MEYJGR

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5Chips Tech Limited
1 año
HK

Características clave

Tipo
Componente y Pieza
Código de fecha de fabricación
Nuevo
Tamaño de la memoria
512 Mbits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
FLASH - NO (SLC)
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
133 megahercios
Organización de la memoria
64M x 8 millones
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
SPI - E/S cuádruples, QPI, DTR

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
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Tiempo de entrega

Descripciónes de los productos del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores
3000 - 5999 unidades
EUR 209
>= 6000 unidades
EUR 105

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