Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
128 kilobitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados (IC)
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Doble Puerto, Asíncrono
-Tensión de alimentación:3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:8K por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:45 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
