Canal del Fabricante R1RW0416DGE-2PR # Componente Electrónico de Memoria B1 44 BSOJ
Canal del Fabricante R1RW0416DGE-2PR # Componente Electrónico de Memoria B1 44 BSOJSin reseñas
Atributos
SRAMLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
256K por 16Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
4 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Tubo
Aplicación:Memoria
Características:Componente Electrónico
-Tensión de alimentación:3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:12 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
SRAM
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
256K por 16
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
4 megabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Tubo
Aplicación
Memoria
Características
Componente Electrónico
-Tensión de alimentación
3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
12 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
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Devolución fácil
1 - 3,000 unidades
EUR 276
>= 3,001 unidades
EUR 138
Variantes
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R1RW0416DGE 2 piezas # B1
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