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Transistores de Canal del Fabricante 8-HSMT RQ3G100GNTB Comprar Componentes Electrónicos en Línea

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Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

RQ3G100GNTB

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-HSMT (3.2x3)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
RQ3G100GNTB
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-HSMT (3.2x3)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
40 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
10A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
14.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
8.4 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
615 pF @ 20 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), Cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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