





Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
64 kilobitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito integrado de chip de componente electrónico IC
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Doble Puerto, MoBL
-Tensión de alimentación:1,8 V ~ 3,3 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:4K por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:90 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo














