Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
256 Mbits, 512 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componente Electrónico
Tipo de memoria:No Volátil, Volátil
La tecnología:FLASH - NOR, SDRAM LPDDR móvil
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:16M por 16, 32M por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
