Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1 TbitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componente Electrónico
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:Flash - NAND
-Tensión de alimentación:2,4 V ~ 2,7 V, 2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:1,16 GHz
Organización de la memoria:128G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:unidad de estado
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:1X1X1 cm
Peso bruto:0.100 kg
