Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes de Circuitos Electrónicos
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - LPDDR2-S4 móvil
-Tensión de alimentación:1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:400 megahercios
Organización de la memoria:128M por 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15 segundos
Interfaz de Memoria:número de escuela_12
