Módulo de Memoria 24 DIP DS1220AB-150IND+ Componentes de Circuitos Electrónicos Distribuidor Autorizado
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Atributos
DS1220AB-150IND+Número de Modelo
A través del agujeroTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
MemoriaAplicación funcional
Módulo DIP 24 (0,600", 15,24 mm)Empaque
Serie:Memoria
describir:IC NVSRAM 16KBIT PARALELO 24EDIP
Organización de Memoria:2 mil x 8
Interfaz de Memoria:Paralelo
Frecuencia del Reloj:-
Tiempo de Acceso:150 nanos
Características clave
Número de Modelo
DS1220AB-150IND+
Tipo de montaje
A través del agujero
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
Memoria
Empaque
Módulo DIP 24 (0,600", 15,24 mm)
Serie
Memoria
describir
IC NVSRAM 16KBIT PARALELO 24EDIP
Organización de Memoria
2 mil x 8
Interfaz de Memoria
Paralelo
Frecuencia del Reloj
-
Tiempo de Acceso
150 nanos
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
1 - 3000 unidades
EUR 793
>= 3001 unidades
EUR 397
Variantes
ElegirCaracterísticas
DS1220AB 150IND+
Envío
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