Módulo de Memoria 28 DIP BQ4011MA-200, Componente de Chips Electrónicos en Existencia
Sin reseñas
Atributos
Componente y PiezaTipo
256 kilobitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tubo, tuboTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Circuito Integrado (IC)Características
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:NVSRAM (SRAM no volátil)
-Tensión de alimentación:4,75 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:32K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:200 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
256 kilobit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Tubo, tubo
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado (IC)
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
NVSRAM (SRAM no volátil)
-Tensión de alimentación
4,75 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
32K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
200 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
56 - 3055 unidades
EUR 230
>= 3056 unidades
EUR 116
Variantes
ElegirEspecificación
BQ4011MA200
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