Memoria 28 DIP R1EV58256BDANBI # Canal de Fabricante de Componentes de Circuitos Electrónicos B2
Memoria 28 DIP R1EV58256BDANBI # Canal de Fabricante de Componentes de Circuitos Electrónicos B2Sin reseñas
5Chips Tech Limited
HK1 años en Alibaba.com
5/5.0(1 reseñas)Tasa de recompra: 16%Tiempo de respuesta ≤ 4hTasa de entregas a tiempo ≥ 93%
Atributos
A través del agujeroTipo de montaje
MemoriaAplicación funcional
R1EV58256BDANBI#B2Número de Modelo
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
28 DIP (0,600", 15,24 mm)Empaque
Serie:Memoria
describir:Circuito integrado EEPROM 256KBIT PARALELO 28DIP
Organización de Memoria:32K por 8
Interfaz de Memoria:Paralelo
Frecuencia del Reloj:-
Tiempo de Acceso:85 nanos
Características clave
Tipo de montaje
A través del agujero
Aplicación funcional
Memoria
Número de Modelo
R1EV58256BDANBI#B2
Lugar del origen
China
Marca
Original
Empaque
28 DIP (0,600", 15,24 mm)
Serie
Memoria
describir
Circuito integrado EEPROM 256KBIT PARALELO 28DIP
Organización de Memoria
32K por 8
Interfaz de Memoria
Paralelo
Frecuencia del Reloj
-
Tiempo de Acceso
85 nanos
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Devolución fácil
100 - 3,099 unidades
EUR 0.5251
>= 3,100 unidades
EUR 0.2626
Variantes
ElegirCaracterísticas
R1EV58256BDANBI # número 2
Envío
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