Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
TuboTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Kit de Circuitos Integrados
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:NVSRAM (SRAM no volátil)
-Tensión de alimentación:4,75 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:512 mil x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:70 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
