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Módulo de Memoria de 32 DIP DS1245AB-120, Componente Electrónico en Stock

Sin reseñas
EUR985
13-3,012 unidades
EUR493
≥3,013 unidades
Código de fecha de fabricación

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

DS1245AB-120

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tamaño de la memoria

1Mbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
DS1245AB-120
Tipo de montaje
Orificio pasante
Tamaño de la memoria
1Mbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Tipo de embajaje
Tubo,Tubo
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 70°C (TA)
PAQUETE/cubierta
Módulo DIP de 32 pines (0.600", 15.24mm)
Serie
-
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
NVSRAM (SRAM no volátil)
-Tensión de alimentación
4.75V ~ 5.25V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
128K x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
120ns
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
NVSRAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores