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Tasa de entregas a tiempo
36%
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Principales mercados: Hong Kong S.A.R., Kazajstán, Taiwán (República de China), Dinamarca, Estados Unidos de América

Memory 32 DIP Module Electronic Circuit Components DS1250W-150+ Original One Stop Service

Sin reseñas
EUR4468
11-3,010 unidades
EUR2234
≥3,011 unidades

Código de fecha de fabricación

NEW

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

DS1250W-150+

Tipo de montaje

Through Hole

Tamaño de la memoria

4Mbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

Envío

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4 pagos sin intereses con

Características clave

La tecnología
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Tipo de memoria
Non-Volatile
Organización de la memoria
512K x 8
Tipo de montaje
Through Hole
Número de pieza del fabricante
DS1250W-150+
Marca
Original
Tamaño de la memoria
4Mbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
Tipo de embajaje
Tube
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 70°C (TA)
PAQUETE/cubierta
32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Serie
-
-Tensión de alimentación
3V ~ 3.6V
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
150ns
Memory Interface
Parallel
Memory Format
NVSRAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores