Memoria 44 BSOJ R1RW0416DGE-2PI # Componentes Electrónicos B1, Lista de Materiales (BOM), Circuitos Integrados (IC) en Existencia
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Atributos
SRAMLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
256K por 16Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
4 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Tubo
Aplicación:Memoria
Características:Componentes y Piezas Electrónicas
-Tensión de alimentación:3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:12 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
SRAM
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
256K por 16
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
4 megabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Tubo
Aplicación
Memoria
Características
Componentes y Piezas Electrónicas
-Tensión de alimentación
3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
12 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1 - 3,000 unidades
EUR 272
>= 3,001 unidades
EUR 136
Variantes
ElegirEspecificación
R1RW0416DGE 2 piezas # B1
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