Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
8 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito integrado de chip de componente electrónico IC
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NO (SLC)
-Tensión de alimentación:4,5 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:512K x 16, 1M x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:70 nanos, 300 micrones
Interfaz de Memoria:Paralelo
