Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
8 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito integrado de chip de componente electrónico IC
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM
-Tensión de alimentación:2,4 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:1 millón x 8, 512 mil x 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:45 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
