Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1 gigabitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados Electrónicos
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:Flash - NAND
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:64M por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
