





Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NO (SLC)
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:104 megahercios
Organización de la memoria:2M por 2, 4M por 1
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:75 micros, 2 milisegundos
Interfaz de Memoria:SPI - Entrada/Salida Dual














