Componentes Electrónicos Originales de Memoria 8 SOlC BY25Q40BSSIG(R)
Sin reseñas
Atributos
Componente y PiezaTipo
4 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Componente ElectrónicoCaracterísticas
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NO
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:108 megahercios
Organización de la memoria:512 mil x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:50 µs, 2,4 ms
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples, QPI
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
4 megabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Componente Electrónico
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
FLASH - NO
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
108 megahercios
Organización de la memoria
512 mil x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
50 µs, 2,4 ms
Interfaz de Memoria
SPI - E/S cuádruples, QPI
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
4,000 - 6,999 unidades
EUR 0.0639
>= 7,000 unidades
EUR 0.0341
Variantes
ElegirEspecificación
BY25Q40BSSIG(R) BY25Q40BSSIG(R) BY25Q40BSSIG(R)
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