Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado Chip
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NO (SLC)
-Tensión de alimentación:1,65 V ~ 2 V
Frecuencia de reloj:50 megahercios
Organización de la memoria:512 mil x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:100 µs, 6 ms
Interfaz de Memoria:SPI - Entrada/Salida Dual
