





Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Kit de Componentes Electrónicos
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NAND (SLC)
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:83 megahercios
Organización de la memoria:4G por 1
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:interfaz serie














