Memoria 8 WDFN con Contacto Expuesto GD55B01GEYIGR, Componentes de Circuitos Electrónicos, Canal del Fabricante
Puntuación de la tienda:
4.5
(2 reseñas)






Atributos
FLASH - NO (SLC)La tecnología
No volátilTipo de memoria
128M x 8 millonesOrganización de la memoria
Componente y PiezaTipo
1 gigabitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Circuito Integrado Chip
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:133 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:50 µs, 1 ms
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples, QPI, DTR
Características clave
La tecnología
FLASH - NO (SLC)
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
128M x 8 millones
Tipo
Componente y Pieza
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado Chip
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
50 µs, 1 ms
Frecuencia de reloj
133 megahercios
Lugar del origen
China
Tamaño de la memoria
1 gigabit
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Interfaz de Memoria
SPI - E/S cuádruples, QPI, DTR
Empaque y entrega
Unidades de venta
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Tamaño del paquete por lote
1X1X1 cm
Peso bruto por lote
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>= 6,000 unidades
EUR 187
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GD55B01GEYIGR
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