Memoria 8 WDFN Exposed Pad SST25VF080B-80-4C-QAE-T Componente Electrónico Original Servicio Integral
Sin reseñas
Atributos
destelloLa tecnología
No volátilTipo de memoria
1M por 8Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
8 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Componente Electrónico Bom Service
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:80 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:10 micros
Interfaz de Memoria:interfaz serie
Características clave
La tecnología
destello
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
1M por 8
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
8 Mbits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Componente Electrónico Bom Service
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
80 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
10 micros
Interfaz de Memoria
interfaz serie
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
2,000 - 4,999 unidades
EUR 0.4939
>= 5,000 unidades
EUR 0.2491
Variantes
ElegirEspecificación
SST25VF080B 80 4C QAE T
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