Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
16 Mbit (FLASH-NOR), 1 Gbit (FLASH-NAND)Tamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito integrado de chip de componente electrónico IC
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NAND, FLASH - NOR
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:133 megahercios
Organización de la memoria:2M x 8 (FLASH-NOR), 128M x 8 (FLASH-NAND)
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:3 milisegundos
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:1X1X1 cm
Peso bruto:0.100 kg
