Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
512 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - Móvil
-Tensión de alimentación:2,3 V ~ 3 V
Frecuencia de reloj:133 megahercios
Organización de la memoria:16M x 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
