Memoria AT45DB021D-MH-T 8 UDFN Componentes de Circuito Electrónico con Contacto Expuesto Originales
Sin reseñas
Atributos
Componente y PiezaTipo
2 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Circuito Integrado ICCaracterísticas
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:destello
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:66 megahercios
Organización de la memoria:264 bytes x 1024 páginas
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:4 milisegundos
Interfaz de Memoria:interfaz serie
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
2 Mbits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado IC
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
destello
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
66 megahercios
Organización de la memoria
264 bytes x 1024 páginas
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
4 milisegundos
Interfaz de Memoria
interfaz serie
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
6,000 - 8,999 unidades
EUR 0.4037
>= 9,000 unidades
EUR 0.2019
Variantes
ElegirEspecificación
AT45DB021D MH T
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