Memoria BQ4010YMA-150 28 DIP Componentes de Módulo Electrónico Original
Sin reseñas
Atributos
A través del agujeroTipo de montaje
MemoriaAplicación funcional
BQ4010YMA-150Número de Modelo
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
Módulo DIP 28 (0,61", 15,49 mm)Empaque
Serie:Memoria
describir:IC NVSRAM 64KBIT PARALELO 28DIP
Organización de Memoria:8K por 8
Interfaz de Memoria:Paralelo
Frecuencia del Reloj:-
Tiempo de Acceso:150 nanos
Características clave
Tipo de montaje
A través del agujero
Aplicación funcional
Memoria
Número de Modelo
BQ4010YMA-150
Lugar del origen
China
Marca
Original
Empaque
Módulo DIP 28 (0,61", 15,49 mm)
Serie
Memoria
describir
IC NVSRAM 64KBIT PARALELO 28DIP
Organización de Memoria
8K por 8
Interfaz de Memoria
Paralelo
Frecuencia del Reloj
-
Tiempo de Acceso
150 nanos
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
100 - 3,099 unidades
EUR 0.5534
>= 3,100 unidades
EUR 0.2767
Variantes
ElegirCaracterísticas
BQ4010YMA150
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