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Componente Electrónico de Memoria BY25D16ASOIG(R) 8 TSSOP en Existencia

Sin reseñas

Atributos

Componente y PiezaTipo
16 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Componente ElectrónicoCaracterísticas
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NO
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:108 megahercios
Organización de la memoria:2M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:2,4 ms
Interfaz de Memoria:SPI - Entrada/Salida Dual

Características clave

Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
16 megabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Componente Electrónico
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
FLASH - NO
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
108 megahercios
Organización de la memoria
2M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
2,4 ms
Interfaz de Memoria
SPI - Entrada/Salida Dual

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores
5000 - 7999 unidades
EUR 0.0892
>= 8000 unidades
EUR 0.0467

Variantes

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Especificación

POR25D16ASOIG(R)

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