Memoria BY25Q32CSTJG(R) 8 SOlC Componentes Electrónicos Distribuidor Autorizado
Sin reseñas
Atributos
FLASH - NOLa tecnología
No volátilTipo de memoria
4M por 8Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
32 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Circuito integrado de chip de componente electrónico IC
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:108 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:60 µs, 4 ms
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples, QPI
Características clave
La tecnología
FLASH - NO
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
4M por 8
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
32 megabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Circuito integrado de chip de componente electrónico IC
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
108 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
60 µs, 4 ms
Interfaz de Memoria
SPI - E/S cuádruples, QPI
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
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Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
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>= 7,000 unidades
EUR 0.0683
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POR25Q32CSTJG(R)
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