Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1 TbitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
A granelTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado Chip IC
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:Flash - NAND
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:128G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:micromembrana
