Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 kilobitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
A granelTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos Circuito Integrado
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Asíncrono
-Tensión de alimentación:4,5 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:4K por 1
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:250 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
