Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1 MbitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos Circuito Integrado
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Sincrónico, SDR
-Tensión de alimentación:3,135V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj:133 megahercios
Organización de la memoria:64K por 18
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
