Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
2 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
A granelTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Sincrónico, SDR
-Tensión de alimentación:3,15 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:133 megahercios
Organización de la memoria:128 mil x 18
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
