Memoria DS1220AD-100IND+ 24 DIP Módulo Chips Electrónicos Componente Fabricante Canal
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Atributos
NVSRAM (SRAM no volátil)La tecnología
No volátilTipo de memoria
2 mil x 8Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
16 kilobitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Tubo
Aplicación:Memoria
Características:Componentes y Piezas Electrónicas
-Tensión de alimentación:4,5 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:100 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
NVSRAM (SRAM no volátil)
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
2 mil x 8
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
16 kilobit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Tubo
Aplicación
Memoria
Características
Componentes y Piezas Electrónicas
-Tensión de alimentación
4,5 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
100 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1 - 3,000 unidades
EUR 968
>= 3,001 unidades
EUR 484
Variantes
ElegirEspecificación
DS1220AD 100IND+
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