Memoria DS1265W-150+ 36 Módulo DIP Componentes Electrónicos Originales Servicio Integral
Sin reseñas
Atributos
Componente y PiezaTipo
8 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
A granel, tuboTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Circuitos Integrados (IC)Características
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:NVSRAM (SRAM no volátil)
-Tensión de alimentación:3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:1M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:150 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
8 Mbits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
A granel, tubo
Aplicación
Memoria
Características
Circuitos Integrados (IC)
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
NVSRAM (SRAM no volátil)
-Tensión de alimentación
3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
1M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
150 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
3 - 3002 unidades
EUR 4419
>= 3003 unidades
EUR 2210
Variantes
ElegirEspecificación
DS1265W 150+
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