Componentes de Circuito Electrónico de Memoria MT62F1G128DAVF-031 XT:B TR Canal del Fabricante
Puntuación de la tienda:
4.5
(2 reseñas)
Atributos
SDRAM - LPDDR5 móvilLa tecnología
-Tipo de memoria
1G por 128Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
128 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Componentes de Circuitos Electrónicos
-Tensión de alimentación:-
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:-
Características clave
La tecnología
SDRAM - LPDDR5 móvil
Tipo de memoria
-
Organización de la memoria
1G por 128
Tipo
Componente y Pieza
-Tensión de alimentación
-
Aplicación
Memoria
Características
Componentes de Circuitos Electrónicos
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Frecuencia de reloj
-
Lugar del origen
China
Tamaño de la memoria
128 gigabits
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Interfaz de Memoria
-
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete por lote
1X1X1 cm
Peso bruto por lote
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
100 - 3,099 unidades
EUR 0.5185
>= 3,100 unidades
EUR 0.2593
Variantes
ElegirEspecificación
MT62F1G128DAVF 031 XT:B TR
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