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Componente Electrónico de Memoria EDF8132A3PB-GD-F-D Original

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Características clave

Tipo
Componente y Pieza
Código de fecha de fabricación
Nuevo
Tamaño de la memoria
8 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Circuitos Integrados
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SDRAM - LPDDR3 móvil
-Tensión de alimentación
1,14 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj
800 megahercios
Organización de la memoria
256M por 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripciónes de los productos del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores
100 - 3099 unidades
EUR 0.5604
>= 3100 unidades
EUR 0.2802

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