Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
16 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado Chip
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - LPDDR3 móvil
-Tensión de alimentación:1,14 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:933 megahercios
Organización de la memoria:256M por 64
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
