Componente Electrónico de Memoria MT29C8G96MAZAPDJA-5 IT TR Canal del Fabricante
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Atributos
FLASH - NAND, LPDRAM móvilLa tecnología
No Volátil, VolátilTipo de memoria
512M x 16 (NAND), 128M x 32 (LPDRAM)Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
8 Gbit (NAND), 4 Gbit (LPDRAM)Tamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Circuitos Integrados (IC)
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:200 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
FLASH - NAND, LPDRAM móvil
Tipo de memoria
No Volátil, Volátil
Organización de la memoria
512M x 16 (NAND), 128M x 32 (LPDRAM)
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
8 Gbit (NAND), 4 Gbit (LPDRAM)
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Circuitos Integrados (IC)
-Tensión de alimentación
1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj
200 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1,000 - 3,999 unidades
EUR 778
>= 4,000 unidades
EUR 389
Variantes
ElegirEspecificación
MT29C8G96MAZAPDJA 5 TI TR
Envío
Tarifa de envío y fecha de entrega por definir. Chatea con el proveedor para confirmar los detalles.
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